ウェーハプロセス工程：基本・共通
- インデクサ(indexer)：センダ、レシーバの総称。処理の前後で、同じカセットを用いマスク、ウェーハなどの基盤収納位置が変化しないユニカセット方式もある。
- オリフラ整合装置：カセット内のウェーハのオリフラを一方向に揃える装置。ウェーハ移載時のチャッキングを確実にするためや、処理装置内でのウェーハの位置を決めをスムーズに行うために用いられる。
- サセプタ(susceptor)：SiやGaAsなどの半導体ウェーハを搭載し加熱するために高周波誘導、ヒータ等によって加熱されるウェーハ保持体の総称。実用的に用いられている材質は、シリコンカーバイド(SiC)をコーティングしたカーボン(C)。
- 右回転CW(clock wise)：単結晶が成長するときのシード軸、るつぼ軸の回転の方向。種子結晶を基準にして、種子結晶の取り付けてある方向から見た場合の時計方向の回転を右回転という。※左回転(counter clock wise)
- ペデスタル(pedestal)：結晶成長において使用するるつぼを、るつぼ軸に支持固定する台。
- ターボ分子ポンプ(turbo molecular pump)：タービン形の翼をもつ高速回転するロータによって、その表面に衝突した気体分子に運動量を与え、気体輸送を行う運動量輸送式真空ポンプ。分子流領域で有効に作動する。気圧 - Wikipedia
- バッチ式(batch processing)：一度に複数枚のウェーハを処理する方式。
- 枚葉式(single wager processing)：ウェーハを１枚ずつ処理する方式。
- 層間絶縁膜･ILD(inter layer dielectrics)：多層配線構造において積層された上下配線を電気的に絶縁分離するために設けられた絶縁膜のこと。
- in-situ：元の意味は“その場"。プロセスの使用例として、「in-situクリーニング」は或るプロセスを終了後、引き続きその場でガスエッチングなどの方法で、クリーニングすること。「in-situモニタリング」は或るプロセスを行っているチャンバ内で同時に状態をモニターすること。ex-situ
- ex-situ：ex-situ測定の意味で使用し、プロセスチャンバ外でプロセス状況を測定すること。装置外で測定することが一般的であるが、装置内で雰囲気制御を行ったまま測定することも含む。
- FDC(fault detection and classification)：それぞれの半導体装置出力のモニターを行い、以上を検出した場合、その結果を統計的に処理することにより以上の種類を分類する技術。
- 薄膜形成装置(thin film deposition system)：半導体製造工程における絶縁膜、電極配線膜、半導体膜を形成する装置の総称。薄膜形成原理において真空蒸着装置、スパッタリング装置などのPVD装置(physicl vapor deposition system)とCVD装置(chemical vapor deposition system)それにエピタキシャル成長装置に大別される。
- ステップカバレージ･回り込み率(step caverage)：LSIなどの半導体素子薄膜の表面における微細な段差部での膜の被膜状態。段差部での被着状態によっては、配線の断線不良などに直接影響し、製品の歩留まり、品質低下の原因となる。
