薄膜形成

• 平坦化･プラナリゼーション(planarization)：配線の足そうかにともなう上下の段差の凹凸を緩和する技術。絶縁膜の平坦化法としては塗布法、バイアススパッタ法、リフロー法、エッチバック法、リフトオフ法があり、金属膜の平坦化法としては、バイアススパッタ法、CVD選択成長法などがある。CMP法でえられるようなウェーハ全面にわたる平坦化を、特にグローバルプラナリゼーションと呼ぶ。
• ウェーハピッチ(wafer pitch)：カセット、ボートなどのウェーハ保持具内におけるウェーハとウェーハの間の間隔。200mmカセットは6.35mm、300mmカセットは10mmが標準。ボートの場合は、目的のプロセスにより異なる。
• 付着速度(deposition rate)：ウェーハ上に単位時間当たり成膜する膜厚。真空蒸着法では蒸着速度、スパッタリング法ではスパッタ速度、CVD法では堆積速度と呼ばれることもある。
• 反応室･成長室･リアクタ(reaction chamber/deposition chamber/reactor)：CVD装置、エピタキシャル成長成長装置における薄膜形成を行うための部分。ウェーハ、ウェーハホルダ、サセプタ等を収納する、特に高純度石英で作られた管状のものは反応管と呼ばれる。
• ベルジャ(belljar)：鐘を伏せたような形状をした反応室。エピタキシャル成長装置などの反応室の呼称として用いられ、材質としては石英又は金属が用いられる。