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• プラズマCVD(plasma enhanced cvd system)：減圧下で、反応性ガスのプラズマ放電分解によってうす膜を形成するCVD装置の総称。熱CVD法と異なり、比較的低温でCVD反応が成立する特徴を持つ。プラズマの発生エネルギーを、主に周波数により分類し、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、ECRプラズマの各種装置がある。
• 高周波プラズマCVD(RF plasma enhanced CVD system)：減圧下で反応性ガスの高周波グロー放電分解によってうす膜を形成するCVD装置。反応室の外側または内側に設置された対抗電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させる容量結合型プラズマCVD装置と、石英反応管の外側に巻いたコイルに高周波電圧を印加してプラズマを発生させる誘導結合型プラズマCVDがある。
• ウェル(well)：“井戸”という意味。シリコン基盤内に導電型の異なる領域を作り、そこに周囲とは逆のタイプのMOSトランジスタを形成し、CMOS構造とする。現在ではCMOS構造はますます複雑となり、二重ウェル、三重ウェルなどが登場して、その複雑さ、工程の長さにおいてバイポーラデバイス以上ともいえるようになった。

• CVD膜形成は化学反応としてみた場合、

･熱分解反応(SiH4→Si+2H2)
･酸化反応(SiH4+2O2→Sio2+2H2O)
･還元反応(SiCl4+2H2→Si+4HCl)
･加水分解反応(2AlCl3+3H2O→Al2O3+6HCl)
･アンモニアとの反応(3SiH4+4NH3→Si3N4+H2)
･酸化反応(2WF6+3Si→2W+3SiF4)
などに分けられる。カッコ内は反応例を示す。CVD膜形成にはこれらのうちのいずれかの反応型式を用いている。はじめての半導体プロセス (ビギナーズブックス)